一种新型相变电控光子神经元器件及其制备方法与应用

本发明属于光电子相关技术领域，其公开了一种新型相变电控光子神经元器件及其制备方法与应用，器件包括：基底、波导层、相变材料层以及加热层；相变材料层的化学通式为SbxTey，x+y=1，0.6<y<1，相变材料层具Sb2Te3相和Te相，Sb2Te3相镶嵌在Te相内形成岛状结构；当加热层温度升高时，在加热层热诱导作用下，Te相由晶态变成非晶态或熔融态，而Sb2Te3相维持晶态；当降低温度时，Te相在低温下自发结晶且以晶态Sb2Te3相为形核位点，能够促进相变材料层快速稳定地结晶，实现神经元自发回到稳定静息电位的功能。