一种集成电路CP量产阶段测试温度校准方法

本发明公开了一种集成电路CP量产测试温度校准方法，包括待进行CP量产测试的同批次晶圆中任意选取两片晶圆作为第一晶圆和第二晶圆，在待校正的量产环境温度下对第一晶圆和第二晶圆划分若干测试区域并进行温度测试，以及记录并计算得到每个测试区域的温度ADC值；对第一晶圆的每个测试区域对应的芯片进行封装和验证，从而得到需补偿温度差值和温度变化时验证芯片的ADC变化差值；基于ADC变化差值计算得到第二晶圆的计算ADC值；基于补偿温度差值和计算ADC值对探针台进行温度补偿。通过同产品的晶圆测温功能和准确模拟产品量产时的环境温度状态，粗调和精调探针台温度，从而保证晶圆测试环境温度的精度。