一种LED芯片的制备方法及LED芯片

本发明提供一种LED芯片的制备方法及LED芯片，属于半导体器件领域，其中LED外延片包括：提供一衬底，衬底上设有待粗化层，待粗化层表面包括粗化区域和非粗化区域；在粗化区域和非粗化区域分别涂覆第一光刻胶层和第二光刻胶层；将衬底置于刻蚀机中进行刻蚀，并在刻蚀完成后进行去胶处理；其中，粗化区域的光刻胶厚度小于非粗化区域光刻胶的厚度，第一光刻胶层的光刻胶由粘度小于预设值的光刻胶与耐刻蚀颗粒搅拌涂覆形成，耐刻蚀颗粒为三氧化二铝颗粒、金颗粒和金刚石颗粒中任意一种或多种组合，待粗化层为透明导电层或P型半导体层或钝化层的表面。本发明中的LED外延片解决了现有技术中的粗化方法不利于提高LED亮度的问题。