一种基于SON-SOI复合结构的MEMS多种类型压阻式压力传感器的制备方法

本发明公开一种基于SON‑SOI复合结构的MEMS多种类型压阻式压力传感器的制备方法，属于MEMS领域。本发明通过高精度双面光刻套刻工艺技术、SON‑SOI复合结构技术、N型隔离阻挡结构工艺技术、P型压敏电阻条结构工艺技术、高温金属材料层互联结构工艺技术、背面减薄工艺技术、背腔深槽结构干法刻蚀工艺技术、背腔深槽结构湿法腐蚀工艺技术等实现了制备基于SON‑SOI复合结构的MEMS多种类型压阻式压力传感器的方法，可制备的MEMS压阻式压力传感器类型包括绝压类型、表压类型、差压类型、绝压与表压/差压集成类型；统一了MEMS多种类型压力传感器工艺平台，显著简化了制造工艺流程和减少了材料浪费，降低了生产成本，提高了生产效率。