一种半导体激光器中巴条芯片散热结构

本发明提供了一种半导体激光器中巴条芯片散热结构，其可提高半导体激光器的散热能力，保证激光器的工作可靠性和延长工作寿命；从上至下依次包括正极片、第一波导层、第一光限制层、有源层、第二波导层、第二光限制层、衬底层、负极片，所述正极片、负极片的外表面均分别与次热沉相连接；由所述第一波导层、第一光限制层、有源层、第二波导层、第二光限制层形成的厚度总和小于所述衬底层的厚度，所述衬底层的厚度为40μm～110μm；在所述衬底层的负极面上沉积有石墨烯薄膜层。