一种量子比特及其制备方法、量子芯片

本发明提供了一种量子比特及其制备方法、量子芯片，涉及量子比特技术领域。基于第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注入至第一功能层中，以去除或减少第一功能层中非零核自旋元素的含量；基于量子阱层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将量子阱层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注入至量子阱层中，以去除或减少量子阱层中非零核自旋元素的含量。以此综合提高量子比特的退相干时间，从而提高量子计算的性能和可靠性。