具有半导体衬底沟槽的传感器装置和对应的制造方法

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具有半导体衬底沟槽的传感器装置和对应的制造方法
申请号:CN202411442839
申请日期:2024-10-16
公开号:CN119846525A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例涉及具有半导体衬底沟槽的传感器装置和对应的制造方法。本发明涉及一种传感器装置,包括磁场传感器芯片。磁场传感器芯片包括半导体衬底,该半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;传感器元件,该传感器元件布置在第一表面上,所述传感器元件被设计用于检测在传感器元件的位置处存在的磁场;以及至少一个沟槽,该沟槽从两个表面中的至少一个表面延伸到半导体衬底中。传感器元件在侧面与至少一个沟槽间隔开。
技术关键词
传感器装置 半导体衬底 磁场传感器芯片 沟槽 TMR传感器元件 弹簧结构 芯片级封装 半导体芯片 载体 应力 机械
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