制造半导体器件的方法和对应的半导体器件

本申请涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。半导体裸片设置在衬底中的裸片焊盘的第一表面处的裸片安装区处。该裸片焊盘具有与第一表面相对的第二表面。激光束能量被施加到裸片焊盘的第二表面以在裸片焊盘的第二表面中形成凹陷的外围部分，该外围部分围绕与第一表面处的裸片安装区域相对的中心部分。电绝缘材料的封装被模制到衬底上。在模制期间，电绝缘材料覆盖凹陷的外围部分，并且响应于裸片焊盘的第二表面的外围部分被凹陷，电绝缘材料在中心部分上的泄漏被抑制。