考虑老化影响的IGBT器件安全工作区退化表征方法

本发明涉及一种考虑老化影响的IGBT器件安全工作区退化表征方法，属于半导体技术领域。该方法表征模型包括：二维初始SOA(包括最大电流边界、最大功率损耗边界和最大电压边界)；变结温波动的结壳热阻退化模型；动态SOA边界退化模型。方法表征步骤如下：根据数据手册定义器件二维初始SOA，通过实验拟合得到不同结温波动功率循环条件下的热阻退化模型参数，根据热阻退化模型，建立变结温波动下动态SOA边界退化模型。该发明可以观察器件安全工作区边界收缩受负载和环境温度的工况变化的影响，有效表征器件老化对安全工作区的退化收缩作用。