半导体器件及其形成方法、车载芯片及车辆

本申请涉及一种半导体器件及其形成方法、车载芯片及车辆。半导体器件包括半导体层、位于半导体层内的第一栅极沟槽以及第一沟槽栅结构。半导体层具有在第一方向上相对设置的第一表面与第二表面。第一栅极沟槽由第一表面向第二表面内陷。第一沟槽栅结构位于第一栅极沟槽中，且包括第一栅极部以及第一屏蔽部。第一栅极部与第一屏蔽部在第二方向上间隔排布，第一方向与第二方向相交。将第一栅极沟槽中的栅极分裂为在第二方向上间隔排布的第一栅极部和第一屏蔽部，第一栅极部与漏极间的寄生电容较小。并且，第一屏蔽部对第一栅极部与漏极之间的侧向寄生电容起到屏蔽作用，也能减小栅漏电容。较小的栅漏电容能降低半导体器件的开关损耗。