集成式Micro-LED芯片

本发明提出了集成式Micro‑LED芯片，包括垂直纵向堆叠的第一子芯片、第二子芯片、第三子芯片和透明导电层，第二子芯片设置于第一子芯片和第三子芯片所处的高度之间的位置，第一子芯片和透明导电层之间设置有第一介质层，第一子芯片和第二子芯片之间设置有第二介质层，第二子芯片和第三子芯片之间设置有第三介质层，第三子芯片在水平方向的投影与第一子芯片和第二子芯片在水平方向的投影之间均不存在交集。本申请中第一子芯片、第二子芯片所产生的热量不会经过第三子芯片向下传导，降低第三子芯片的温升，提高第三子芯片的发光性能与寿命。