一种倒装Mini-LED芯片及其制备方法

本申请涉及一种倒装Mini‑LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该芯片包括依次设置的发光层、衬底，以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；发光层包括钙钛矿量子点薄膜；其中，单层石墨烯层的厚度为0.5‑1.5nm，石墨烯层的层数至少为2层。通过在衬底的一侧沉积钙钛矿量子点薄膜，可以提高芯片整体的发光效率，以及拓宽了波长。通过在另一侧沉积石墨烯夹层，并在几层石墨烯上继续生长高结晶质量GaN薄膜；使得该芯片不仅在大电流和高功率条件下应用时，具有优异的散热效果，还具有出色的发光效率和更宽的波长范围。