半导体结构及半导体结构的制备方法

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半导体结构及半导体结构的制备方法
申请号:CN202411474805
申请日期:2024-10-22
公开号:CN120603312A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本申请内容揭露一种半导体结构与一种制造半导体结构的方法。半导体结构包含第一芯片、第二芯片、第一接合层及电源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D电容器结构。第二芯片中具有第二3D电容器结构。第一接合层将第一芯片与第二芯片接合。电源管理晶粒与第二芯片接合。电源管理晶粒透过沿着半导体结构的厚度延伸并跨过第一接合层的互连件而电性连接至第一3D电容器结构与第二3D电容器结构。
技术关键词
电容器结构 半导体结构 介电层 电容器单元 半导体层 晶圆 电源 导电凸块 圆柱型电容器 顶板 系统单芯片 底部填充胶 切割制程 底板 基板 通孔 电路板
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