一种带有冷却通道的交错分布式双面散热大功率IPM封装结构

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一种带有冷却通道的交错分布式双面散热大功率IPM封装结构
申请号:CN202411476679
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119419190A
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及IPM封装技术领域,特别是一种带有冷却通道的交错分布式双面散热大功率IPM封装结构,包括上覆铜陶瓷基板与下覆铜陶瓷基板,上覆铜陶瓷基板通过IPM模块与下覆铜陶瓷基板连接;IPM模块包括第一相IPM单元、第二相IPM单元和第三相IPM单元,第一相IPM单元、第二相IPM单元和第三相IPM单元的两侧分别与上覆铜陶瓷基板、下覆铜陶瓷基板连接,第一相IPM单元、第二相IPM单元和第三相IPM单元两端分别与驱动芯片单元、驱动保护PCB板单元连接;上覆铜陶瓷基板上设有上冷却通道,下覆铜陶瓷基板上设有下冷却通道。本发明缩短了功率回路的长度,大大减小了模块功率回路内部的寄生电感,同时模块体积可以得到减小,能提高模块功率密度。
技术关键词
陶瓷基板 恢复二极管芯片 IPM封装结构 焊料 缓冲层 驱动芯片 IPM模块 大功率 高压 铜片 双面 通道 导热硅脂层 散热器 栅极 阴极 阳极 氮化铝陶瓷
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