一种TVS芯片新型扩散工艺

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一种TVS芯片新型扩散工艺
申请号:CN202411477880
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119230386A
公开日期:2024-12-31
类型:发明专利
摘要
本申请涉及硅片制造的技术领域,具体公开了一种TVS芯片新型扩散工艺。一种TVS芯片新型扩散工艺,包括以下步骤;清洗:将硅片浸泡到复合处理液中进行处理,然后取出进行超声波清洗,最后干燥,得到清洗硅片;其中复合处理液的原料包括如下重量份的组分:表面活性剂1~5份、络合剂5~10份、缓冲剂2~6份、氧化剂3~7份、碱处理剂1~3份、分散剂0.5~2份、水70~80份;接着将清洗硅片进行氧化、涂胶、入腐、去胶、附源、去膜、再次附源,完成扩散。
技术关键词
新型扩散工艺 清洗硅片 超声波清洗 硅衬底表面 芯片 聚甲基丙烯酸钠 表面活性剂 羟乙基磺酸钠 氧化剂 脱水山梨醇 分散剂 十二烷基硫酸钠 涂覆光刻胶 乙二胺四乙酸 壬基苯酚 磷酸二氢钠 聚丙烯酸钠 氢氧化钡 次氯酸钠
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