一种射频芯片的制备方法

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一种射频芯片的制备方法
申请号:CN202411479022
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119400701A
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种射频芯片的制备方法,包括以下步骤:(1)提供一面具有多颗射频芯片的基板,所述基板具有多颗射频芯片的一面上覆盖有塑封层,沿每颗射频芯片的四周进行预切割,形成沟槽使基板的接地层露出;(2)在所述基板设置有射频芯片的一侧形成第一金属层,所述第一金属层覆盖所述塑封层的表面和沟槽的槽壁;(3)在所述第一金属层的表面形成第二金属层,所述第一金属层和所述第二金属层构成屏蔽层,所述屏蔽层与预切割后露出的接地层电性连接;(4)沿着沟槽进行切割,得到单颗射频芯片。采用本发明的制备方法形成的第一金属层和第二金属层共同构成屏蔽层,屏蔽效果好同时可靠性高。
技术关键词
射频芯片 物理气相沉积工艺 化学镀工艺 基板 电镀工艺 沟槽 屏蔽层 高温胶带 贴膜
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