一种低功耗ESD防护装置

本发明公开了一种低功耗ESD防护装置，包括第一端子、第二端子和被耦合至所述第一端子与所述第二端子之间的节点并具有控制输入的半导体开关。所述半导体开关是N型金属氧化物半导体(NMOS)，并且响应于从高阻抗状态变为导通状态，所述半导体开关提供负反馈，使得所述半导体开关的漏极‑源极端电压在预定时间内减小至少50％；本发明采用了自偏置NMOS开关，该开关能够在没有外部偏压的情况下自动偏置自身，并通过其输出产生负反馈，有效抑制ESD事件，从而减少了对外部电源的依赖，降低了功耗，同时减小了电路占用的芯片面积。