一种对应2nm及2nm以下芯片晶背供电的封装结构

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一种对应2nm及2nm以下芯片晶背供电的封装结构
申请号:CN202411491703
申请日期:2024-10-24
公开号:CN119419186A
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种对应2nm及2nm以下芯片晶背供电的封装结构,本案通过在基板上设置转接板,并在此基础上倒装2nm及2nm以下厚度的第一芯片,实现更小的封装高度和更小的物理尺寸。通过竖向金属块和横向金属块增大了电流传输的截面积,降低了电阻,提高了电流传输效率。竖向金属块和横向金属块不仅作为导电通道,还作为热传导路径,有效提升了热量的传导和散发能力,保障了芯片的稳定运行。倒装第一芯片的设置,实现了晶背供电,缩短了供电路径,降低了IR压降,提高了供电效率。竖向金属块与第一芯片背面平齐的设置,减少了电流传输路径长度,降低了能量损失和电磁干扰,提高了电气性能,并确保了电流分布的均匀性,进一步降低了电阻。
技术关键词
金属触点 封装结构 芯片安装区域 转接板 电流传输路径 焊点 导电胶层 焊球 封装基板 点对点 空隙 热传导 电阻 电气 物理 正面
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