一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构

本发明涉及一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层一、铝薄膜一、二氧化硅层二、硅条波导\光栅\硅脊型波导\调制器\锗硅探测器、二氧化硅包层三、铝薄膜二、二氧化硅层四、氮化硅层。本发明围绕典型的硅基光电子芯片设计了铝薄膜、二氧化硅和氮化硅多层构成的复合膜层，可以有效隔绝宇宙环境中的带电粒子、不带电子粒子和光子，主要是α粒子、重离子、中子、X射线和γ射线等因子的作用，有效保护硅基光电子芯片内的无源和有源器件，包括波导、光栅、调制器、探测器等器件，解决硅基光电子芯片在宇宙环境下受到辐照影响性能退化的问题。