一种半导体功率模块

本发明涉及一种半导体功率模块，属于器件封装技术领域。该模块包括散热底板、绝缘基板、金属层、功率端子、信号端子、芯片和感温电阻。绝缘基板设置在散热底板表面，金属层设置在绝缘基板表面，功率端子、信号端子、芯片和感温电阻均设置在绝缘基板上且与金属层电连接。部分芯片在绝缘基板中间区域形成下桥，另一部分芯片在下桥两侧形成上桥，上、下桥芯片数量相等。功率端子、上桥芯片和下桥芯片共同在功率模块中形成大小相等、方向相反的功率回路。本发明可解决因电流分配不均匀导致个别芯片温度过高以及因寄生参数过大产生的电磁干扰问题。