一种低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制作方法

本发明公开了一种低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制作方法，该器件在传统双阱可控硅器件阴极右侧加入了N阱构成了三阱，并通过N+注入连接到阳极，与传统的单向低触发可控硅静电防护器件相比具有更短的阴阳极间距。此外，该器件P阱中还嵌入了一个NMOS与P+注入，NMOS的栅极漏极与P+注入相连，源极连接阴极，在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了一条表面ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应。如此，该器件具有低触发电压高维持电压的特点，有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。该器件能够应用于0～5.5V工作电压的I/O端口的ESD防护。