半导体器件及其制备方法

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。半导体器件包括集电区、漂移区、发射区和栅极区，漂移区设于所述集电区之上，发射区设于所述漂移区远离所述集电区的一侧，栅极区设于所述漂移区远离所述集电区的一侧，所述栅极区在第一参考面的投影与所述漂移区在所述第一参考面的投影不交叠，所述第一参考面平行于所述漂移区的厚度方向，所述漂移区包括层叠设置的第一子漂移区及第二子漂移区，所述第二子漂移区位于所述第一子漂移区远离所述集电区的一侧，且所述第一子漂移区和所述第二子漂移区的掺杂类型不同。