基于SiC MOSFET的宽频、宽电压可调单相高功率逆变电路

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基于SiC MOSFET的宽频、宽电压可调单相高功率逆变电路
申请号:CN202411510324
申请日期:2024-10-28
公开号:CN119324643A
公开日期:2025-01-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于SiC MOSFET的宽频、宽电压可调单相高功率逆变电路,其特征在于,包括依次电性连接的输入直流源、全桥逆变电路、输出滤波电路和输出交流源,所述输入直流源还与输入直流电压采样模块电性连接,所述输入直流源与电感电流采样模块电性连接,所述输出交流源与负载电流采样模块和输出交流电压采用模块电性连接,所述输入直流电压采样模块、电感电流采样模块、负载电流采样模块和输出交流电压采样模块与DSP控制模块电性连接,所述DSP控制模块通过驱动模块与全桥逆变电路电性连接。本发明基于SiC MOSFET的宽频、宽电压可调单相高功率逆变电路,实现了在有限的开关频率下得到高性能的正弦波输出电压,且系统响应快、稳态好、可靠性高。
技术关键词
电容 电阻 电压可调 端口 电感电流采样 驱动芯片 电流采样模块 高功率 辅助电源 DSP控制模块 宽频 全桥逆变电路 输出交流电压采样电路 肖特基二极管 输出滤波电路
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