双波红外探测器制备方法和双波红外段探测器

本发明公开了双波红外探测器制备方法和双波红外段探测器，包括提供GaSb衬底；在GaSb衬底上顺序生长底部接触层、中波吸收层、势垒层、长波吸收层，以及顶部接触层；在顶部接触层表面一次沉积钝化层，并从吸收层到顶部接触层进行一次蚀刻；覆盖式进行二次沉积钝化层，并从顶部接触层到底部接触层进行二次蚀刻；覆盖式进行三次沉积钝化层；在台面及公共电极区的钝化层均进行开孔，开孔处蒸镀UBM金属TiPtAu，制成探测器芯片；最大限度地减少吸收层表面的等离子体暴露时间；将探测器芯片与读出电路In柱互联制成探测器，制备的探测器可以用单个探测器获取中波红外和长波红外图像信息，具有出色的探测、识别和鉴别能力。