摘要
本发明属于人工神经元器件领域,为了解决现有人工突出功能单一、制造过程复杂、无法适应规模生产的问题,本发明提出一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法,包括以下步骤:制备单层/少层二硫化硒薄沟道;蒸镀Se/Au电极制作P型WSe2晶体管;蒸镀Bi/Au电极制作N型WSe2晶体管并采用CMOS结构连接;本发明还测试了制备的器件的电学性能及其激活函数输入输出曲线,并仿真其各项指标并得到仿真结果的准确率,证明本发明能应用于实现激活函数功能和人工突触功能。
技术关键词
晶体管
硬件人工神经网络
元器件
硅片
薄膜
电平
氧化硅
栅极
突触功能
条状电极
CMOS结构
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