基于确定论中子输运求解的高兼容性侵入式降阶方法

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基于确定论中子输运求解的高兼容性侵入式降阶方法
申请号:CN202411517074
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119622162B
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于确定论中子输运求解的高兼容性侵入式降阶方法,将利用确定论中子输运求解器算出的中子标通量场分布与其对应的中子流分布结合,通过本征正交分解提取特征模态并确定其截断阶数,再结合控制方程与本征正交基构建降阶模型,计算得到对应截面参数下的本征正交基系数,以重构中子标通量场分布;本发明能够在不修改现有中子输运求解器的情况下,构建出可兼容多种中子输运求解器的降阶模型;尤其将所建立的中子标通量和中子流之间的关系映射到缩减基空间上,并基于新的控制方程结合POD基构建出具有高兼容性的中子输运侵入式降阶模型,克服了现有全阶中子输运方程求解器需要消耗大量内存的缺陷,并具有更高的计算效率,且通用性更高。
技术关键词
中子 降阶模型 方程 主成分分析方法 模态分解方法 编码器方法 特征线方法 样本 矩阵 嵌入方法 重构 参数 代表 定义 特征值 稳态 内存 索引 变量 因子
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