一种适用于芯片键合的材料及其镀膜方法

本发明属于芯片材料技术领域，具体涉及一种适用于芯片键合的材料及其镀膜方法。本发明的键合材料包括所述材料的成分为In、Sn、Bi、Au、Sn中的一种或几种，本发明的材料可以在更低温的键合环境下，极大地减少了蓝宝石与硅基因热膨胀系数的差异带来的应力，提升键合准确度以及成功率，而且材料的质地更硬，提高对应力的抵抗效果，从而提升键合的成功率，有效解决了现有问题。