半导体结构及其制造方法、半导体结构的气泡缺陷检测方法

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半导体结构及其制造方法、半导体结构的气泡缺陷检测方法
申请号:CN202411524414
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119400781A
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种半导体结构及其制造方法、半导体结构的气泡缺陷检测方法,所述半导体结构包括多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的切割道区,每个所述芯片区外围的所述切割道区形成有气泡标记;检测所述半导体结构,以得到包含所述气泡标记的检测图像;根据所述气泡标记与所述芯片区之间的设计距离,从所述检测图像中拆解得到各个所述芯片区的图像;识别各个所述芯片区的图像,以判断所述芯片区是否存在气泡缺陷。本发明的技术方案使得提高气泡缺陷检测效率且降低漏检率。
技术关键词
半导体结构 气泡缺陷检测方法 芯片 标记 图像 十字形 多边形 检测机台 晶圆 掩膜 界面 超声波 数值 定义
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