一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用

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一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用
申请号:CN202411526791
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119039992B
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液及其制备方法与应用,所述用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液包括重量配比如下的各组分:氟化试剂0.5‑3份;硝酸20‑70份;醋酸30‑50份;渗透润湿剂1‑5份;反应扩散剂1‑10份。所述氟化试剂为亲核氟化试剂,所述渗透润湿剂为Gemini表面活性剂,所述反应扩散剂为碳链修饰的亚硝基连二硫酸。本发明用于去除Si孔侧壁损伤层的蚀刻液能有效去除TSV工艺中Si孔侧壁损伤层。本发明蚀刻液通过分段蚀刻芯片,能提高液体置换率,加快传质,促进孔内均一蚀刻,形成孔内均一形貌。
技术关键词
蚀刻液 超纯水清洗 润湿剂 二乙胺基三氟化硫 侧壁损伤层 氢氧化钡 硫酸 二氧化锰 表面活性剂 芯片 醋酸 硝酸 混合液 扩散剂 氮气 氧化层 异丙醇 溶液 分段
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