一种端面耦合器及其制备方法

本发明提供一种端面耦合器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述端面耦合器包括：硅衬底层、二氧化硅包层和波导层；所述硅衬底层，包括：硅层和设置于所述硅层之上的埋氧层；所述二氧化硅包层，设置于所述埋氧层之上；所述波导层，设置端面耦合器于所述二氧化硅包层的水平中心；所述波导层，还包括：波导和二段式反向锥形端面耦合结构；其中，所述二段式反向锥形端面耦合结构包括：第一段反向锥形结构和第二段反向锥形结构；所述第一段反向锥形结构的宽端与所述波导相连，尖端与所述第二段反向锥形结构的宽端相连。通过本发明提供的方法，实现波导与光纤的高效耦合，同时确保了其在大批量制备上的可行性。