一种薄膜型集成控温芯片材料及制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种薄膜型集成控温芯片材料及制备方法
申请号:CN202411532471
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119245854A
公开日期:2025-01-03
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种薄膜型集成控温芯片材料及制备方法,该方法是由衬底,绝缘缓冲层,加热薄膜,热敏薄膜,叉指电极,端电极和绝缘层组成,在衬底上生长了绝缘缓冲层,加热薄膜,热敏薄膜,电极及绝缘层,不同的功能薄膜采用复合方式生长构成集成式控温芯片。通过调整薄膜的种类和生长制备条件,实现对加热性能及测温灵敏度的调控。该薄膜型集成控温芯片材料结构简单,质量轻薄,同时薄膜结晶度较好,粗糙度较小,对温度的敏感度高。通过镀膜工艺与半导体工艺的兼容,实现了薄膜从基础研究向实用化研究转变的过程。解决了现有技术中加热器和热敏电阻之间割裂的问题,将加热薄膜和负温度系数测温薄膜有机的整合在一起,使其测温精度有效提高。同时较小的体积也为其扩宽了应用渠道。
技术关键词
热敏薄膜 缓冲层 叉指电极 薄膜型 端电极 衬底 加热 绝缘 氧气 复合薄膜 测温 模版 磁控溅射设备 芯片 铁铬铝合金 管式 气压 氮气
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种自动化电芯理料码垛装置
码垛装置 多自由度机器人 抓取机构 输送线 抓取组件
2
一种基于多材料复合基板构造的集成结构及其制作方法
复合基板 沟槽隔离区 SiC外延层 多层结构 势垒层
3
一种基于触觉感知的护膝护肘组件
柔性触觉传感器 护膝护肘 防水透气层 护具 防护块
4
高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法
GaN层 盖帽层 电子迁移率晶体管 势垒层 应力释放层
5
一种高抗水解的LED外延片及其制备方法
外延片 U型GaN层 电子阻挡层 半导体层 多量子阱层
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号