利用HybridBonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构及方法

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利用HybridBonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构及方法
申请号:CN202411536261
申请日期:2024-10-31
公开号:CN119381273A
公开日期:2025-01-28
类型:发明专利
摘要
一种利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构及方法。该封装结构及方法可以实现CIS芯片与其他种类芯片集成并通过FOWLP技术完成封装工艺,在实现不同种类芯片集成的同时,能极大的提高封装效率,显著降低加工成本。
技术关键词
导电通孔结构 系统封装芯片 导电结构 重布线层 凹槽结构 CIS芯片 植入锡球 导电层 高透光 粘贴膜层 环氧树脂 间隙结构 封装工艺 封装结构 玻璃 绝缘材料
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