晶圆级封装方法及芯片结构

本发明揭示了一种晶圆级封装方法及芯片结构，晶圆级封装方法包括步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括绝缘介质层以及设置于绝缘介质层内的金属互联层；在第一晶圆和/或第二晶圆制作外溢空腔；键合连接第一晶圆和第二晶圆，形成晶圆级封装结构，晶圆级封装结构包括位于所述第一晶圆和第二晶圆之间的键合层，至少部分键合层外溢至外溢空腔；沿着切割区域切割晶圆级封装结构，所述外溢空腔避让所述切割区域的外侧缘；如此，刀头切割时的外侧缘不会碰到空腔，晶圆级封装结构提供较好的支撑性，不易破裂受损。