图像传感器及其形成方法

本公开的各种实施例涉及堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片垂直堆叠。像素传感器跨越第一和第二IC芯片。像素传感器包括位于第一IC芯片的第一传输晶体管和光电探测器，还包括位于第二IC芯片的源极跟随器晶体管、晶体管电容器和第二传输晶体管。晶体管电容器和第二传输晶体管从第一传输晶体管的源极/漏极区串联电耦合到源极跟随器晶体管的栅电极。