一种非二进制的CDAC版图结构及其减少寄生参数的设计方法

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一种非二进制的CDAC版图结构及其减少寄生参数的设计方法
申请号:CN202411560243
申请日期:2024-11-04
公开号:CN119514469A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种非二进制的CDAC版图结构及其减少寄生参数的设计方法,包括低权重分布区域和高权重分布区域,低权重分布区域用于设置权重较低位的电容,高权重分布区域用于设置权重较高位的电容,并通过低权重分布区域和高权重分布区域设置的电容形成电容阵列,电容阵列四周设置有一圈虚拟电容;低权重分布区域的单位电容为偶数行,且根据电容权重从小到大沿电容阵列的中心点水平向外依次设置,每一位权重上的单位电容均沿电容阵列的水平中心线对称设置;高权重分布区域的单位电容根据电容权重从小到大以电容阵列的中心点为原点呈中心对称分布。可以有效的减少走线之间的寄生、提高电容阵列匹配的精度,满足在SAR ADC中的对于电容阵列的精度需求。
技术关键词
电容阵列 虚拟电容 版图结构设计方法 中心线 中心对称 金属板 电容极板 参数 布线 金属线 布局 精度 电路 关系
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