电容芯片结构以及制造方法

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电容芯片结构以及制造方法
申请号:CN202411562890
申请日期:2024-11-05
公开号:CN119153232B
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种电容芯片结构以及制造方法,该制造方法包括:在玻璃衬底的第一表面形成第一导电层;在第一导电层远离玻璃衬底的一侧形成电容介质层;电容介质层还覆盖第一导电层的侧壁,电容介质层设置有第一通孔,第一通孔贯穿电容介质层且露出第一导电层的部分表面;在电容介质层远离第一导电层的一侧形成第二导电层;第二导电层的边界相对于第一导电层的边界向电容芯片结构的中心内缩;在第二导电层远离电容介质层的一侧形成绝缘层;形成第一电气连接结构;形成第二电气连接结构。
技术关键词
芯片结构 电气连接结构 导电层 电容 衬底 玻璃 介质 母板 通孔 焊盘 子板 缓冲层 间距 绝缘 数值 尺寸
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