半导体结构、制备方法、光子芯片及光计算设备

本申请实施例提供一种半导体结构、制备方法、光子芯片及光计算设备。其中，半导体结构，包括：衬底；位于衬底上方的第一半导体器件层，第一半导体器件层包括有源器件以及与有源器件光互连的第一波导；位于第一半导体器件层上方的金属互连结构，有源器件与金属互连结构电连接；位于金属互连结构上方的第二半导体器件层，第二半导体器件层包括光栅耦合器以及与光栅耦合器光互连的第二波导；光互连结构，第一波导和第二波导通过光互连结构光互连；电连接结构，电连接结构的第一端与金属互连结构电连接，电连接结构的第二端用于与外部电路电连接。本申请实施例提供的技术方案可以提高光栅耦合器的耦合效率。