半导体结构及其形成方法、半导体堆叠结构

本公开关于半导体领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、半导体堆叠结构，方法包括：提供包括衬底和多个半导体芯片的初始半导体结构，半导体芯片包括基底、器件层和导电结构，器件层位于半导体芯片中靠近衬底的一侧，半导体芯片之间存在切割道凹槽；导电结构的一端嵌设于基底内，另一端延伸至器件层内；在切割道凹槽内形成绝缘材料层；对绝缘材料层进行回蚀刻，以使绝缘材料层的顶面低于导电结构中嵌设于基底内的端面；对基底中远离衬底的一侧进行蚀刻，以露出导电结构中远离衬底的端部；在剩余的基底和剩余的绝缘材料层上形成介质材料层，介质材料层的顶面与导电结构中远离衬底的端部齐平。本公开的形成方法可减少结构缺陷，提高产品良率。