基于干涉条纹聚焦的TSOM微结构线宽测量方法

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基于干涉条纹聚焦的TSOM微结构线宽测量方法
申请号:CN202411576526
申请日期:2024-12-23
公开号:CN119554970B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于干涉条纹聚焦的TSOM微结构线宽测量方法,属于光学检测领域,步骤包括:采用低相干干涉光路,对微结构线宽样品进行过焦扫描,得到具有待测对象表面信息的图像序列;确定图像序列中干涉信号包络峰值索引;以该位置为聚焦平面建立待测对象的过焦扫描光学显微图像;利用时域有限差分算法以及角谱理论仿真不同线宽模型的低相干干涉过焦扫描散射光场图像,建立标准尺寸线宽模型数据库;结合库匹配算法提取出待测结构的线宽。本发明突破低相干干涉测量系统的衍射极限,提升系统的横向分辨率,实现超分辨测量线宽;同时通过干涉条纹精准定位聚焦平面,减小系统焦深引入的过焦扫描线宽测量误差,保证测量方法的有效性。
技术关键词
线宽测量方法 低相干干涉 干涉条纹 微结构 显微干涉仪 散射光 图像探测器 索引 场图像 包络 压电陶瓷 CMOS探测器 待测对象表面 差分算法 位移台 双三次插值 干涉物镜 序列
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