一种MOSFET光伏旁路保护模块及其制备方法

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一种MOSFET光伏旁路保护模块及其制备方法
申请号:CN202411578658
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119133165A
公开日期:2024-12-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种MOSFET光伏旁路保护模块及其制备方法,光伏旁路保护模块包括第一导电体、第二导电体、MOSFET器件、控制芯片、电容和载板;其中,第一导电体和第二导电体之间设置有绝缘间隙,载板跨越绝缘间隙并且连接第一导电体和第二导电体;载板包括绝缘基板和设置在绝缘基板的的导电层,控制芯片和电容设置在载板上并且通过导电层电连接,控制芯片通过导电层与第一导电体、第二导电体分别电连接;MOSFET器件设置在第一导电体或第二导电体上,并且MOSFET器件与控制芯片、第一导电体和第二导电体分别电连接。本发明能够大量减少各部件之间通过金属线导电连接,简化工艺、降低成本以及提高产品可靠性。
技术关键词
MOSFET器件 导电体 控制芯片 载板 金属导体 电阻器件 旁路 绝缘 导电层 电容 基板 模块 金属互连 端口 金属线 栅极 通孔
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