DRAM命令/地址接口的自适应

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DRAM命令/地址接口的自适应
申请号:CN202411579722
申请日期:2024-11-07
公开号:CN120020962A
公开日期:2025-05-20
类型:发明专利
摘要
本公开涉及DRAM命令/地址接口的自适应。一种决策计数器电路在自适应电路中用于对输入信号应用数字平均以在操作期间获得存储器装置的存储器芯片的电路参数的自适应设置。可为所述存储器装置中的所述存储器芯片中的每一者获得所述参数(例如,阻抗、电容、均衡参数)在操作期间的个别自适应设置。所述自适应使得跨越温度及电压漂移的均衡调整成为可能。
技术关键词
存储器芯片 接收器 决策 参数 信号 存储器装置 计数器电路 命令 接口 电容 电压
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