一种高散热半导体封装结构及其制造方法

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一种高散热半导体封装结构及其制造方法
申请号:CN202411583437
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119480812A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体封装技术领域,尤其涉及一种高散热半导体封装结构及其制造方法,封装结构包括芯片组件和高散热基板。芯片组件至少包括两个;高散热基板具有绝缘性,高散热基板包括上表面和下表面,上表面或下表面与芯片组件面接触,高散热基板具有多层基板结构,在多层结构中设置有电路图形,高散热基板上开设有连接孔,连接孔从与芯片组件接触的面延伸至电路图形,连接孔内填充金属材料,芯片组件、连接孔内的金属材料和电路图形形成电气连接电路,芯片组件、连接孔和高散热基板形成热通路。本发明通过高散热基板自身的高导热率,可以导出芯片组件产生的热量,连接孔还能将芯片组件的热量导至外部环境,两种高效散热共同作用,提高散热效率。
技术关键词
高散热 芯片组件 半导体封装结构 芯片模组 散热基板 多层基板结构 存储芯片 功率半导体芯片 电路 金属材料 多层结构 电气 半导体封装技术 处理器芯片 逻辑 外凸块
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