功率器件单元和半导体封装结构

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功率器件单元和半导体封装结构
申请号:CN202411696424
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119181682B
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种功率器件单元和半导体封装结构,其中,功率器件单元包括:半导体芯片,半导体芯片的第一表面设置有源极,半导体芯片的第二表面设置有漏极;第一端子,包括第一连接板段以及与第一连接板段连接的第一引出板段,第一连接板段与源极导电连接;第二端子,包括第二连接板段以及与第二连接板段连接的第二引出板段,第二连接板段与漏极导电连接;其中,第一连接板段、半导体芯片及第二连接板段叠置设置。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的可靠性较低的问题。
技术关键词
半导体封装结构 功率器件 半导体芯片 端子 流道板 散热件 功率半导体器件 导电 密封套 壳体 板状结构 栅极 围板 介质
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