光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品

本申请公开了一种光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取光刻仿真流程中光刻胶的实际形貌量测数据以及与光刻仿真流程对应的光刻胶的N个物理化学效应函数；基于N个物理化学效应函数，建立初始光刻模型；基于初始光刻模型和实际形貌量测数据，通过运行遗传算法迭代求解得到适应度符合第一预设条件的目标参数组合，适应度基于初始光刻模型的损失函数和/或均方根误差确定得到；基于目标参数组合，确定得到光刻仿真流程下光刻胶的目标光刻模型。根据本申请实施例，能够更为高效、准确地实现光刻模型建立，从而能够有效提升整体光刻模型建立效率以及提高光刻胶形貌预测精度。