封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202411588458
申请日期:2024-11-08
公开号:CN119230530A
公开日期:2024-12-31
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种封装结构及其形成方法,封装结构包括基板及设置在基板上的中介层,中介层包括:芯片,倒装设置在基板上,在芯片背面具有一凹槽;塑封层,塑封芯片,且凹槽表面未被塑封层覆盖;导电柱,贯穿塑封层至基板;散热层,覆盖芯片背面的凹槽表面,散热层的热导率大于芯片背面材料的热导率。本发明实施例提供的封装结构及其形成方法,在芯片背面形成凹槽,扩大了芯片背面的表面积,进而扩大了芯片背面与外部散热结构的接触面积,能够实现对芯片的良好散热,并且,封装结构还在凹槽表面设置热导率较大的散热层,进一步提高了芯片背面与外部散热结构之间的热量传导,提高了封装结构的散热性能。
技术关键词
封装结构 芯片 导电柱 散热层 中介层 基板 锥形凹槽 散热结构 电感 清洗工艺 氧化层 锡膏
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