一种使晶圆正面平坦化的减薄方法

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种使晶圆正面平坦化的减薄方法，包括如下步骤，1）待减薄晶圆的正面旋涂正性光刻胶，所述待减薄晶圆的正面设置有多个间隔设置的钝化层，光刻胶的厚度等于钝化层的厚度；2）去除所述钝化层上的正性光刻胶；3）所述待减薄晶圆的正面粘贴保护膜；4）对待减薄晶圆的背面进行减薄；5）去除保护膜；6）去除正性光刻胶，得到减薄后的晶圆；本发明降低晶圆减薄后的裂纹数量和程度，降低晶圆内硅厚度波动，特别是降低晶圆上单颗芯片内的硅厚度差异，同时显著的简化操作，使操作更便利。