一种带金属划线区的半导体芯片切割方法

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一种带金属划线区的半导体芯片切割方法
申请号:CN202510903947
申请日期:2025-07-01
公开号:CN120854383A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种带金属划线区的半导体芯片切割方法,半导体芯片具有多个半导体芯片形成区域和分隔多个半导体芯片形成区域的划线区域,且划线区域中设有划片道金属,所述切割方法包括:通过激光烧蚀所述划片道金属形成开口槽,所述开口槽的深度小于或等于所述划片道金属的厚度;基于所述开口槽,通过划线轮和预设应力对所述半导体芯片进行划线裂片工艺,以使所述多个半导体芯片形成区域分隔。本发明的切割方法其开槽宽度小,提高了芯片利用率;工艺步骤简单,节省了切割成本和切割时间。
技术关键词
半导体芯片 切割方法 激光烧蚀 裂片工艺 超短脉冲激光 扩膜工艺 背面金属层 开槽宽度 应力 保护液 保护膜 衬底 涂覆 正面 参数
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