一种无片外电容的LDO芯片

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一种无片外电容的LDO芯片
申请号:CN202411592289
申请日期:2024-11-08
公开号:CN119292396B
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体集成电路技术领域,提供了一种无片外电容的LDO芯片,该LDO芯片包括误差放大器、buffer电路、过冲欠冲抑制电路、功率管、反馈电路、前馈电路;误差放大器的正向输入端与反馈电路的反馈端相连接,误差放大器的反向输入端接第一参考电压,误差放大器的输出端与buffer电路的输入端相连接,buffer电路的输出端分别与过冲欠冲抑制电路的输入端、前馈电路的输出端、功率管的栅极相连接,功率管的源极分别与输入电源、前馈电路的输入端相连接,功率管的漏极分别与过冲欠冲抑制电路的输出端、反馈电路的输入端、LDO芯片的输出端相连接。本申请能提高无片外电容的LDO芯片的性能。
技术关键词
推挽晶体管 误差放大器 栅极 前馈电路 无片外电容 运算放大器 输入端 功率管 芯片 电阻 输出端 半导体集成电路技术 电压 接地端 电源
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