半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的阈值电压的同时，提升半导体器件的可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、第一盖帽层、第二盖帽层、源极和漏极，势垒层设置于衬底的一侧，第一盖帽层设置于势垒层远离衬底的一侧，第二盖帽层设置于第一盖帽层远离衬底的一侧，源极和漏极沿第一方向位于第一盖帽层的相对两侧，且均设置于势垒层远离衬底的一侧，第一方向平行于衬底，其中，第二盖帽层沿第一方向的尺寸，小于第一盖帽层沿第一方向的尺寸，第一盖帽层和第二盖帽层均包括P型掺杂的半导体材料，且第一盖帽层的掺杂浓度小于第二盖帽层的掺杂浓度。上述半导体器件应用于芯片中。