缺陷偏移距离监测系统及方法、晶圆缺陷检测方法、设备、介质

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缺陷偏移距离监测系统及方法、晶圆缺陷检测方法、设备、介质
申请号:CN202411608135
申请日期:2024-11-11
公开号:CN119542188B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体芯片制造领域,本申请公开了缺陷偏移距离监测系统及方法、晶圆缺陷检测方法、设备、介质,本申请的缺陷偏移距离监测系统能够实现多台缺陷监测设备和多台缺陷复查设备之间的缺陷偏移距离修正配置,从而解决了因为缺陷偏移距离导致缺陷复查失败的问题,同时,本申请的实现多台缺陷监测设备和多台缺陷复查设备之间的缺陷偏移距离修正配置的方案的工作效率高,增加了制作芯片的工艺设备的跑货数,提高了工艺设备的利用率,减少了芯片的制造时间成本。此外,本申请还增加了对缺陷偏移距离值进行预警判断,更加准确地实现了多台缺陷监测设备和多台缺陷复查设备之间的缺陷偏移距离修正配置。
技术关键词
监测设备 电子束 距离监测 晶圆缺陷检测方法 异常点 统计学方法 物体 正态分布方法 工艺设备 坐标 图像 半导体芯片 处理器 模块通信 设备通信 监测方法 聚类 可读存储介质
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